Библиотека Интернет Индустрии I2R.ru |
|||
|
Intel удалось невероятно уплотнить SRAM14.03.2002 04:31 Применив технологию, которая в будущем году должна быть внедрена в массовое производство, Intel получила экспериментальные образцы микросхем памяти, содержащих 330 млн транзисторов. Полученные микросхемы SRAM (static RAM) имеют размер около 109 кв. мм и позволяют хранить 52 Мбит данных, что делает их элементами памяти с самой высокой плотностью размещения данных. Главное же — при создании этих чипов использовался 90-нм технологический процесс, а это доказывает, что Intel продолжает следовать закону Мура. Согласно этому закону число транзисторов, размещаемых в микросхеме, удваивается каждые полтора-два года — в основном благодаря все новым способам уменьшения размеров самих транзисторов. Сегодня самые быстродействующие чипы изготавливаются по 130-нм технологии, то есть проводники на кристалле имеют ширину около 130 нм. Сжав элементы чипа до 90 нм, Intel сможет наполовину уменьшить размер процессоров или, что более вероятно, ввести в них новые компоненты. Коммерческое производство 130-нм микросхем началось в середине 2001 года; 90-нм чипы должны поступить в продажу будущим летом. Обычно экспериментальные образцы появляются примерно за год до начала коммерческого производства. По словам сотрудника Intel Technology Manufacturing Group Марка Бора (Mark Bohr), те же схемотехнические решения, которые используются в экспериментальных чипах SRAM, будут применяться и в кэш-памяти микропроцессоров. В последние годы размер кэша играет все более важную роль. Один из самых больших кристаллов, будущий серверный процессор Intel McKinley, раскинулся на площади в 464 кв. мм. Однако существенная часть этого чипа занята тремя кэшами, общая емкость которых превышает 3 Мбайт. А его последователь Madison будет содержать 6 Мбайт внутренней памяти. Бор поведал, что первым микропроцессором Intel, выполненным по 90-нм технологии, станет следующая версия Pentium 4 — Prescott. Это обеспечит дальнейшее повышение производительности процессоров. В 130-нм чипе длина затвора транзистора составляет 70 нм, а в 90-нм чипе — 50 нм. «Чем короче затвор, тем быстрее может переключаться транзистор», — пояснил Бор. Майкл Канеллос последние новости 26.10.2006 19:04 | Вышла бета-версия инструментария Microsoft Atlas...» 25.10.2006 18:22 | Роботы, которые делают сайты. Новое в сайтостроении...» 25.10.2006 14:38 | Mozilla гордится безопасностью и быстродействием Firefox 2...» 24.10.2006 20:41 | Google предлагает настраиваемый поиск...» 24.10.2006 18:16 | Компания IT-Online и учебный центр Микроинформ провели первый совместный семинар на тему "Поисковая оптимизация и интернет-статистика"...» 24.10.2006 16:28 | Коммуникационная поддержка бизнеса: реклама и pr в сети Интернет...» 23.10.2006 12:40 | MySpace: объединение социальных сетей невозможно...» 22.10.2006 19:28 | Adobe: Internet-приложения без Internet...» 22.10.2006 19:24 | Opera 9.1 проверит сайты на благонадежность...» 21.10.2006 16:06 | Дыра в IE 7 на самом деле содержится вовсе не в браузере...» 20.10.2006 15:20 | Социальные сети собираются внедрить психографический таргетинг...» 20.10.2006 14:43 | W3C приструнит мошенников...» 19.10.2006 20:47 | Google предлагает «оптимизатор сайтов» для рекламодателей...» 19.10.2006 18:18 | 20 методов сортировки результатов поиска...» 19.10.2006 17:20 | Cобственные иконки в Adobe Photoshop...» 19.10.2006 14:56 | PHP 5.1. Учебный курс...» 19.10.2006 13:48 | Бесплатный Page Promoter Bar 3.0: мгновенный анализ поисковой выдачи...» 18.10.2006 21:18 | Круглый стол «Инновационные бизнес-модели в интернете. От идеи до реализации»....» 18.10.2006 20:54 | Yahoo обновляет инструменты для электронного бизнеса...» 17.10.2006 18:44 | Яндекс заплатит ученым за интернет-математику...» |
|
2000-2008 г. Все авторские права соблюдены. |
|