Ученые из немецкого Института физики
микроструктур имени Макса Планка создали
новый метод производства кремниевых
нанокристаллов, которые используются для
нужд оптоэлектроники и устройств хранения
информации.
До недавнего времени для изготовления
светодиодов и подобных им устройств
применяли арсенид галлия, фосфид иридия и
другие подобные соединения. Однако
несколько лет назад выяснилось, что для
подобных целей подходит кремний - основное
сырье при производстве микросхем. Дело в
том, что у кремния на макро- и наноуровне
различные оптические свойства. Это
означает, что кремниевая пластинка с
многочисленными нанопорами может
светиться точно так же, как пластинка из
арсенида галлия. Использование кремния в
оптоэлектронике выгодно, прежде всего, из-за
дешевизны и доступности этого материала, а
также из-за возможности производить
излучающие устройства и чипы на одной
подложке.
Большинство созданных в последние годы
технологий обработки поверхности кремния
на наноуровне не позволяли ученым
создавать излучающие устройства
необходимого качества. Только теперь
группа Маргита Захариаса из Института
физики микроструктур Макса Планка в Халле (Германия),
кажется, добилась цели. Ученые разработали
и защитили патентом эффективную и
сравнительно дешевую технологию "выкраивания"
нанокристаллов кремния на четырехдюймовых
подложках.
Немецким ученым удалось создать
многослойные структуры на основе так
называемых "сверхрешеток" - структур
из аморфных слоев соединений кремния. Их
нагревают в азоте до 1100 градусов Цельсия, в
результате чего образуются сверхтонкие
слои оксида кремния. Впоследствии они
разделяются на нанокристаллы из чистого
кремния и структуры из аморфного SiO2.
Такая технология, по мнению разработчиков,
делает возможным относительно недорогое
производство высокоплотных структур из
кремниевых кластеров нанокристаллов.
Недавно STMelectronics и Motorola сообщили об
успешном использовании подобной
технологии для создания светодиодов (LED) и
микросхем памяти.