|
|
Библиотека Интернет Индустрии I2R.ru |
||
Intel удалось невероятно уплотнить SRAM14.03.2002 04:31 Применив технологию, которая в будущем году должна быть внедрена в массовое производство, Intel получила экспериментальные образцы микросхем памяти, содержащих 330 млн транзисторов. Полученные микросхемы SRAM (static RAM) имеют размер около 109 кв. мм и позволяют хранить 52 Мбит данных, что делает их элементами памяти с самой высокой плотностью размещения данных. Главное же — при создании этих чипов использовался 90-нм технологический процесс, а это доказывает, что Intel продолжает следовать закону Мура. Согласно этому закону число транзисторов, размещаемых в микросхеме, удваивается каждые полтора-два года — в основном благодаря все новым способам уменьшения размеров самих транзисторов. Сегодня самые быстродействующие чипы изготавливаются по 130-нм технологии, то есть проводники на кристалле имеют ширину около 130 нм. Сжав элементы чипа до 90 нм, Intel сможет наполовину уменьшить размер процессоров или, что более вероятно, ввести в них новые компоненты. Коммерческое производство 130-нм микросхем началось в середине 2001 года; 90-нм чипы должны поступить в продажу будущим летом. Обычно экспериментальные образцы появляются примерно за год до начала коммерческого производства. По словам сотрудника Intel Technology Manufacturing Group Марка Бора (Mark Bohr), те же схемотехнические решения, которые используются в экспериментальных чипах SRAM, будут применяться и в кэш-памяти микропроцессоров. В последние годы размер кэша играет все более важную роль. Один из самых больших кристаллов, будущий серверный процессор Intel McKinley, раскинулся на площади в 464 кв. мм. Однако существенная часть этого чипа занята тремя кэшами, общая емкость которых превышает 3 Мбайт. А его последователь Madison будет содержать 6 Мбайт внутренней памяти. Бор поведал, что первым микропроцессором Intel, выполненным по 90-нм технологии, станет следующая версия Pentium 4 — Prescott. Это обеспечит дальнейшее повышение производительности процессоров. В 130-нм чипе длина затвора транзистора составляет 70 нм, а в 90-нм чипе — 50 нм. «Чем короче затвор, тем быстрее может переключаться транзистор», — пояснил Бор. Майкл Канеллос последние новости 01.02.2013 15:18 | Интернет и малые предприятия...» 22.01.2013 13:30 | Провал с планшетом от Microsoft...» 27.11.2012 13:14 | Ключ к лучшему софту для вас!...» 22.11.2012 14:39 | Выбор домашнего компьютера...» 16.11.2012 15:17 | Старый знакомый - Dr. Web...» 04.04.2012 13:35 | Как играть в игровые автоматы и как они устроены...» 04.04.2012 13:08 | Интернет-вклады набирают популярность...» 21.03.2007 17:33 | Вышел 3-й номер Юзабилити Бюллетеня...» 16.03.2007 00:16 | Индивидуальное обучение поисковому продвижению...» 15.03.2007 19:16 | Анонс места проведения PHPCONF 2007...» 14.03.2007 17:21 | Спонсоры конференции PHPCONF 2007...» 14.03.2007 00:29 | Аккредитация журналистов на участие в конференции «РИТ-2007» началась ...» 07.03.2007 12:12 | ЦБ обяжет аудиторов раскрывать банковскую тайну ...» 04.03.2007 20:30 | «1С» и «Битрикс» создают совместную компанию «1С–Битрикс»...» 01.03.2007 18:42 | Adobe выпустит Creative Suite 3 в конце марта...» 01.03.2007 17:44 | Oracle намерена приобрести Hyperion Solutions за $3,3 млрд ...» 28.02.2007 17:15 | Google улучшает систему уведомлений веб-мастеров...» 28.02.2007 16:09 | Adobe выпустит средства для редактирования видео в интернете...» 27.02.2007 19:29 | Большие ИТ-компании обещают возможности Web 2.0...» 27.02.2007 16:35 | Page Promoter 7.5: глобальная платформа для анализа, продвижения и управления ресурсом...» |
|
 |
 |
2000-2008 г. Все авторские права соблюдены. |
|
 |
|
