Библиотека Интернет Индустрии I2R.ru |
|||
|
Intel удалось невероятно уплотнить SRAM14.03.2002 04:31 Применив технологию, которая в будущем году должна быть внедрена в массовое производство, Intel получила экспериментальные образцы микросхем памяти, содержащих 330 млн транзисторов. Полученные микросхемы SRAM (static RAM) имеют размер около 109 кв. мм и позволяют хранить 52 Мбит данных, что делает их элементами памяти с самой высокой плотностью размещения данных. Главное же — при создании этих чипов использовался 90-нм технологический процесс, а это доказывает, что Intel продолжает следовать закону Мура. Согласно этому закону число транзисторов, размещаемых в микросхеме, удваивается каждые полтора-два года — в основном благодаря все новым способам уменьшения размеров самих транзисторов. Сегодня самые быстродействующие чипы изготавливаются по 130-нм технологии, то есть проводники на кристалле имеют ширину около 130 нм. Сжав элементы чипа до 90 нм, Intel сможет наполовину уменьшить размер процессоров или, что более вероятно, ввести в них новые компоненты. Коммерческое производство 130-нм микросхем началось в середине 2001 года; 90-нм чипы должны поступить в продажу будущим летом. Обычно экспериментальные образцы появляются примерно за год до начала коммерческого производства. По словам сотрудника Intel Technology Manufacturing Group Марка Бора (Mark Bohr), те же схемотехнические решения, которые используются в экспериментальных чипах SRAM, будут применяться и в кэш-памяти микропроцессоров. В последние годы размер кэша играет все более важную роль. Один из самых больших кристаллов, будущий серверный процессор Intel McKinley, раскинулся на площади в 464 кв. мм. Однако существенная часть этого чипа занята тремя кэшами, общая емкость которых превышает 3 Мбайт. А его последователь Madison будет содержать 6 Мбайт внутренней памяти. Бор поведал, что первым микропроцессором Intel, выполненным по 90-нм технологии, станет следующая версия Pentium 4 — Prescott. Это обеспечит дальнейшее повышение производительности процессоров. В 130-нм чипе длина затвора транзистора составляет 70 нм, а в 90-нм чипе — 50 нм. «Чем короче затвор, тем быстрее может переключаться транзистор», — пояснил Бор. Майкл Канеллос последние новости 14.03.2002 04:31 | Intel удалось невероятно уплотнить SRAM...» 14.03.2002 04:29 | Fujitsu-Siemens представит новый карманный компьютер LOOX...» 14.03.2002 04:21 | На волнах рынка памяти...» 14.03.2002 04:08 | Microsoft Mira: слаще мирра и вина?...» 14.03.2002 03:39 | America Online сообщает с замедлении темпа роста числа пользователей...» 14.03.2002 03:32 | Microsoft идет на уступки: Часть претензий ЕС удовлетворена...» 14.03.2002 03:28 | Клименко обвиняется во лжи и клеветничестве...» 14.03.2002 03:17 | "Покушение на Россию" выложено в интернете...» 14.03.2002 02:47 | Microsoft начинает продажу X-Box в Европе...» 14.03.2002 02:27 | Опустевший CeBit встретил посетителей дождем и русской народной музыкой...» 14.03.2002 01:30 | Как заделать опасную дыру в Internet Explorer?...» 14.03.2002 01:22 | Загадка раскрыта: 13 марта на Yahoo началась грандиозная распродажа...» 14.03.2002 00:09 | Sun воплотила мечту в железе...» 13.03.2002 13:32 | Определились финалисты конкурса в Сан-Франциско "Flash™ Film Festival 2002"...» 13.03.2002 13:04 | Adobe инвестирует 500 тысяч долларов в интернет-издание Salon.com...» 13.03.2002 13:01 | 3D Grapher - программа для создания примитивных трехмерных изображений...» 13.03.2002 12:54 | Компания DataArt закончила полную модернизацию сайта "РЕСТЭК"...» 13.03.2002 05:22 | IBM ищет таланты в Сингапуре...» 13.03.2002 05:16 | Sun есть что противопоставить Passport...» 13.03.2002 04:04 | CeBit 2002: возвращение к прозе жизни ...» |
|
2000-2008 г. Все авторские права соблюдены. |
|